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Samsung Electronics startet Massenproduktion des ersten 8Gigabit DDR4 Memory in 20-nm-Prozesstechnologie

Korea (ots)

- Querverweis: Bildmaterial ist abrufbar unter
  http://www.presseportal.de/galerie.htx?type=obs -

Samsung Electronics Co. Ltd., Marktführer bei Speichertechnologie, hat mit der Massenproduktion des branchenweit innovativsten 8-gigabit (Gb) DDR4 Memorys und eines darauf basierenden 32-gigabyte (GB) Moduls begonnen. Beide Speicherlösungen werden in einer neuen Prozesstechnologie mit Halbleitergeometrien von 20nm gefertigt und sind für den Einsatz in Enterprise Servern prädestiniert.

"Unser neues 8Gb DDR4 DRAM in 20nm-Technologie übertrifft die hohen Anforderungen hinsichtlich Leistungsfähigkeit, Speicherdichte und Energieeffizienz, die die Verbreitung von Enterprise Servern der nächsten Generation vorantreiben" sagt Jeeho Baek, Vice President of Memory Marketing bei Samsung Electronics. "Durch die Erweiterung der Produktion unseres 20nm DRAM Produktangebots bieten wir High-Density DRAM Produkte der Premium-Klasse an und erfüllen zugleich die steigende Nachfrage von Kunden aus dem Marktsegment 'Premium Enterprise' Lösungen."

Einschließlich seines neuen 8Gb DDR4 Memory bietet Samsung jetzt ein komplettes Spektrum an 20nm-basierten DRAM Memorys an und führt eine neue Ära hinsichtlich der Effizienz bei 20nm DRAMs an. Dies beinhaltet auch das 20nm 4Gb DDR3 für PCs und das 20nm 6Gb LPDDR3 für Mobilgeräte.

Basierend auf dem neuen 8Gb DDR4 Chip hat Samsung zum Monatsbeginn mit der Produktion des 32GB RDIMM (Registered Dual In-Line Memory Modul) begonnen. Die Datenübertragungsrate pro Pin des neuen Moduls erreicht Werte bis 2.400 Mbit/s. Gegenüber der Bandbreite eines DDR3 Server-Moduls von 1.866 Mbit/s entspricht dies einer Steigerung der Leistungsfähigkeit um etwa 29% Prozent.

Über die 32GB-Module hinaus erlauben die neuen 8Gb-Chips die Produktion von Server-Modulen mit einer maximalen Kapazität von 128GB. Die dabei eingesetzte 3D TSV-Technologie (Through Silicon Via) begünstigt die künftige Expansion des Marktes für High-Density DRAMs.

Das neue High Density DDR4 Memory ist mit verbesserten Fehlerkorrekturfunktionen ausgestattet. Dies erhöht die Speicherzuverlässigkeit von Enterprise Servern. Darüber hinaus arbeiten der neue DDR4-Chip und das neue 32GB-Modul mit 1,2V und somit mit der zurzeit geringst möglichen Spannung.

Über Samsung Electronics Co., Ltd.

Samsung Electronics Co. Ltd. ist ein weltweit führender Anbieter von Technologie, die Menschen überall neue Möglichkeiten eröffnet. Durch kontinuierliche Innovation und Marktbeobachtung transformiert das Unternehmen die Welten der Fernsehgeräte, Smartphones, Tablets, PCs, Kameras, Haushaltsgeräte, Drucker, LTE-Systeme, Medizingeräte, Halbleiter und LED-Lösungen. Bei Samsung Electronics Co. Ltd. sind 286,000 Menschen in 80 Ländern beschäftigt. Der jährliche Umsatz des Unternehmens beträgt über US$216,7 Mrd. Für mehr Informationen besuchen Sie bitte www.samsung.com.

Über Samsung Semiconductor Europe

Samsung Semiconductor Europe, eine Tochtergesellschaft von Samsung Electronics Co. Ltd. Seoul, Korea, mit Sitz in Eschborn bei Frankfurt/Main unterhält Büros in ganz Europa und in der Region EMEA (Middle East & Africa). Der europäische Hauptsitz ist für die Marketing- und Verkaufsaktivitäten der Component Business Units von Samsung Electronics zuständig. Dazu gehören die Bereiche Memory, System LSI, LED und Display Business in EMEA. Für mehr Informationen besuchen Sie bitte www.samsung.com/semiconductor.

Für weitere Informationen wenden Sie sich bitte an: 
Ujeong Jahnke 
Samsung Semiconductor Europe GmbH 
Tel. +49(0)6196-66-3300, Fax +49(0)6196-66-23525 
Email:  ujeong.j@samsung.com

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