Tous Actualités
Suivre
Abonner centrotherm photovoltaics AG

centrotherm photovoltaics AG

EANS-News: Erfolg im Geschäftsbereich Dünnschicht: centrotherm photovoltaics erreicht Wirkungsgrad von 13 Prozent für die Massenproduktion

Blaubeuren (euro adhoc) -

  • Patentierter Produktionsprozess schafft Wettbewerbsvorteil
  • Pilotanlage ermöglicht effizienten Technologietransfer in die Produktion
  Corporate News übermittelt durch euro adhoc. Für den Inhalt ist der
  Emittent/Meldungsgeber verantwortlich.
Unternehmen
Blaubeuren, 10. August 2009 - Der
centrotherm photovoltaics AG ist es gelungen, den Zellwirkungsgrad 
basierend auf eigenem Equipment und Prozess-Know-how im Bereich 
Dünnschicht auf 13 Prozent zu steigern. Das Unternehmen erreichte 
diesen Wert mit einem für die Massenproduktion umsetzbaren Verfahren 
und erwartet daher Wirkungsgrade von bis zu zwölf Prozent bei seinen 
Turnkey-Linien für die industrielle Fertigung von Dünnschichtmodulen 
der Fläche 1,5 Quadratmeter (m²).
Der Technologie- und Equipmentanbieter für die Herstellung von 
Solarsilizium, von kristallinen Solarzellen und CIGS 
(Kupfer-Indium-Gallium-Diselenid)- Dünnschichtmodulen folgt so auch 
im Geschäftsbereich Dünnschicht dem Unternehmensziel, die Kosten pro 
Watt-Peak zu senken. Das Unternehmen setzt auf die hocheffiziente 
CIGS-Dünnschichttechnologie, weil es seinen Kunden damit die derzeit 
höchsten Wirkungsgrade bei niedrigen Produktionskosten bieten kann. 
Darüber hinaus kommt das neue Verfahren zur Herstellung der 
CIGS-Module im Gegensatz zu anderen Herstelltechnologien ohne 
toxische Prozessgase aus.
"Die bereits in Laboren erzielten hohen Wirkungsgrade für 
Dünnschichtmodule zeigen, welches Potenzial in dieser Technologie 
steckt. Die Herausforderung besteht jedoch darin, den Sprung vom 
Labor in die Massenproduktion zu schaffen", erläutert Dr. Peter Fath,
Technologievorstand bei centrotherm photovoltaics. "Unser Vorteil bei
der CIGS-Technologie liegt in einer einfachen, robusten 
Prozessführung und der Wahl der Verfahrensschritte, die leicht von 
kleinen Flächen auf größere übertragbar sind." centrotherm 
photovoltaics betreibt in Blaubeuren ein konzerneigenes Dünnschicht- 
Forschungs- und Entwicklungslabor, in dem seit 2008 eine komplette 
CIGS- Pilotfertigung für Dünnschichtmodule der Größe 0,1 m² steht.
Die Photovoltaikexperten aus Blaubeuren setzen im Bereich Dünnschicht
auf Module der Größe 1,5 m2, da diese bei den zugesagten 
Wirkungsgraden optimale Produktions- und Montagekosten bieten und den
Kunden damit langfristig wettbewerbsfähige Produktionsbedingungen 
ermöglichen. Die Fertigung der als Glas-Glas Sandwich aufgebauten 
Module erfolgt auf Basis eines patentierten zweistufigen Prozesses. 
Dieser besteht im ersten Schritt aus der Abscheidung der metallischen
Schichten in Sputteranlagen. In einem zweiten thermischen Schritt 
erfolgt die Umwandlung in die CIGS-Kristallphase. Diese 
Prozessführung trägt maßgeblich zur effizienten Fertigung mit 
niedrigen Produktionskosten und gleichzeitig hohen Wirkungsgraden 
bei. "Der Erfolg unseres noch jungen Geschäftsbereichs zeigt, dass 
wir mit unseren Investitionen in Forschung und Entwicklung und dem 
Aufbau dieses Bereichs auf dem richtigen Weg sind", so Fath. Derzeit 
wird bei einem asiatischen Kunden die erste schlüsselfertige CIGS- 
Produktionslinie mit einer Jahreskapazität von mehr als 30 Megawatt 
hochgefahren. Bis Ende 2009 soll damit das erste und mit einer Fläche
von 1,5 m2 bis dahin größte CIGS-Modul aus einer Massenfertigung 
produziert werden.
Über centrotherm photovoltaics AG Die centrotherm photovoltaics AG 
mit Sitz in Blaubeuren ist einer der weltweit führenden Technologie- 
und Equipmentanbieter für die Herstellung von Solarsilizium, von 
kristallinen Solarzellen und CIGS-Dünnschichtmodulen. Das breite 
Leistungsspektrum umfasst Schlüsselequipment und schlüsselfertige 
("Turnkey") Produktionslinien für kristalline und 
Dünnschicht-Solarzellen. Die Produktpalette wird durch Reaktoren und 
Konverter für die Herstellung von Solarsilizium ergänzt. centrotherm 
photovoltaics garantiert seinen Kunden wichtige Leistungsparameter 
wie Produktionskapazität, Wirkungsgrad und Fertigstellungstermin für 
Turnkey-Linien. Der Konzern beschäftigt rund 1.100 Mitarbeiter und 
ist weltweit in Europa, Asien und den USA aktiv. Im Geschäftsjahr 
2008 erzielte centrotherm photovoltaics bei einem Umsatz von 375 Mio.
Euro ein EBIT von 56 Mio. Euro* und ist im TecDAX an der Frankfurter 
Wertpapierbörse gelistet. (*vor Kaufpreisallokationen)
Rückfragehinweis:
Unternehmenskontakt:
Saskia Schultz-Ebert
Senior Managerin Investor Relations
Tel: +49 7344 918-8890
E-Mail:  saskia.schultz-ebert@centrotherm.de

Pressekontakt:

Christina Siebels, Grit Pauli
HOSCHKE & CONSORTEN Public Relations GmbH
Tel: +49 40 3690 50-58 /-31
E-Mail: c.siebels@hoschke.de; g.pauli@hoschke.de

Branche: Energie
ISIN: DE000A0JMMN2
WKN: A0JMMN
Index: TecDAX
Börsen: Frankfurt / Regulierter Markt/Prime Standard
Berlin / Freiverkehr
Hamburg / Freiverkehr
Stuttgart / Freiverkehr
Düsseldorf / Freiverkehr
München / Freiverkehr

Plus de actualités: centrotherm photovoltaics AG
Plus de actualités: centrotherm photovoltaics AG
  • 14.05.2009 – 08:14

    EANS-News: Erfolgreiches erstes Quartal bei centrotherm photovoltaics

    Ergebnis mehr als verdoppelt Corporate News übermittelt durch euro adhoc. Für den Inhalt ist der Emittent/Meldungsgeber verantwortlich. Unternehmen/Quartalszahlen Blaubeuren (euro adhoc) - Erfolgreiches erstes Quartal bei centrotherm photovoltaics: Ergebnis mehr als verdoppelt - Umsatz steigt von 67,7 Mio. auf 131,0 Mio. Euro - EBIT (vor ...

  • 29.04.2009 – 13:15

    EANS-News: Kapitalmarkttag der centrotherm photovoltaics AG

    Gesellschaft gewährt Einblick in Forschungs- und Entwicklungstätigkeit Corporate News übermittelt durch euro adhoc. Für den Inhalt ist der Emittent/Meldungsgeber verantwortlich. Unternehmen/Kapitalmarkttag Blaubeuren (euro adhoc) - Kapitalmarkttag der centrotherm photovoltaics Gesellschaft gewährt Einblick in Forschungs- und Entwicklungstätigkeit Blaubeuren, 29. April 2009 - Auch mit ihrem zweiten ...