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Samsung startet Massenproduktion von leistungsstarkem 128gigabit 3bit Multi-Level-Cell NAND-Flash-Memory

Seoul, Korea (ots) -

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Samsung Electronics Co. Ltd., Marktführer im Bereich Memory-Technologie, hat soeben mit der Massenproduktion seines 128gigabit (Gb), 3bit Multi-Level-Cell (MLC) NAND-Memory-Chips in 10nanometer (nm)-Class*-Prozesstechnologie begonnen. Der innovative Chip wird Memory-Lösungen mit hoher Packungsdichte (High-Density) wie zum Beispiel Embedded NAND Storage und SSDs (Solid State Drives) ermöglichen.

"Durch die Markteinführung von Memory-Storage-Produkten der nächsten Generation, wie der 128Gb NAND-Chip, sind wir optimal positioniert, um die steigenden Anforderungen der Kunden weltweit zu erfüllen," sagt Young-Hyun Jun, Executive Vice President, Memory Sales & Marketing, Device Solutions Division, Samsung Electronics. "Der brandneue Chip ist ein wichtiges Produkt in der Evolution von NAND-Flash-Memory. Sein planmäßiger Produktionsbeginn wird uns ermöglichen, unsere Wettbewerbsfähigkeit auf dem Markt für Memory-Storage-Lösungen mit hoher Packungsdichte zu stärken."

Samsungs 128Gb NAND-Flash-Memory basiert auf einem 3bit Multi-Level-Cell Design und 10nm-Class Prozesstechnologie. Es bietet die branchenweit höchste Packungsdichte sowie die höchste Datenübertragungsrate von 400Mbit/s, basierend auf der Toggle DDR 2.0 Schnittstelle.

Mit Hilfe von 128Gb NAND-Flash-Memory wird Samsung sein Angebot an 128gigabyte (GB) Speicherkarten weiter ausbauen. Diese können bis zu 16 Full HD-Videos mit jeweils 8GB speichern. Samsung wird jetzt auch sein Produktionsvolumen von SSDs mit Kapazitäten von 500GB erhöhen und damit den Einsatz von SSDs in Computersystemen vorantreiben. Zugleich führt das Unternehmen den Übergang bei Speichern für Notebooks von klassischen Festplatten (HDDs) zu Festplatten auf Halbleiterbasis (SSDs) an.

Die Nachfrage nach leistungsstarkem 3bit MLC NAND-Flash-Memory und Speicherkapazitäten von 128Gb ist stark gestiegen und treibt die Nutzung von SSDs mit mehr als 250GB Speichervolumen voran. Allen voran die Serie SSD 840 von Samsung.

Samsung hat im November 2012 mit der Produktion von 64Gb MLC NAND-Flash-Memory in 10nm-Class-Technologie begonnen. Weniger als fünf Monate später hat das Unternehmen mit dem neuen 128Gb NAND-Flash-Memory sein Angebot an Speicherlösungen mit hohem Speichervolumen erweitert. Der neue 128Gb-Chip erweitert zusammen mit dem 20nm-Class* 64Gb 3bit NAND-Flash-Chip, der 2010 auf den Markt kam, auch Samsungs Angebot an 3bit NAND-Memory. Darüber hinaus bietet der neue 128Gb 3bit MLC NAND-Chip mehr als die doppelte Produktivität eines 64Gb MLC NAND-Chips in 20nm-Class-Technologie.

Samsung plant, auch in Zukunft führende Halbleiterspeicher (SSDs) und Embedded-Memory-Speicherlösungen mit qualitativ hochwertigen Leistungsmerkmalen auf den Markt zu bringen. So möchte das Unternehmen dem Wachstum des Premium-Speichersegments neue Dynamik verleihen.

Über Samsung Electronics Co. Ltd. Samsung Electronics Co. Ltd. ist ein weltweit führender Anbieter von Technologie, die Menschen überall neue Möglichkeiten eröffnet. Durch kontinuierliche Innovation und Marktbeobachtung transformiert das Unternehmen die Welten der Fernsehgeräte, Smartphones, PCs, Drucker, Kameras, Haushaltsgeräte, LTE-Systeme, Medizingeräte, Halbleiter und LED-Lösungen. Bei Samsung Electronics Co. Ltd. sind 236.000 Menschen in 79 Ländern beschäftigt. Der jährliche Umsatz des Unternehmens beträgt über US$187,8 Mrd. Für mehr Informationen besuchen Sie bitte www.samsung.com.

Über Samsung Semiconductor Europe

Samsung Semiconductor Europe, eine Tochtergesellschaft von Samsung Electronics Co. Ltd. Seoul, Korea, mit Sitz in Eschborn bei Frankfurt/Main unterhält Büros in ganz Europa und in der Region EMEA (Middle East & Africa). Der europäische Hauptsitz ist für die Marketing- und Verkaufsaktivitäten der Component Business Units von Samsung Electronics zuständig. Dazu gehören die Bereiche Memory, System LSI, LED und Display Business in EMEA. Für mehr Informationen besuchen Sie bitte www.samsung.com/semiconductor.

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*Hinweis für Redakteure: 10nm-Class bedeutet eine Prozesstechnologie mit Halbleiterstrukturen zwischen 10 und 20 Nanometer. 20nm-Class bedeutet eine Prozesstechnologie mit Halbleiterstrukturen zwischen 20 und 30 Nanometer.

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