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AMD sorgt mit neuer Technologie für zehnfach höhere Leistungen bei zukünftigen Transistoren

Sunnyvale (ots)

AMD (NYSE: AMD) gab heute bekannt, dass das
Unternehmen den bisher kleinsten Double Gate Transistor mit Hilfe von
Standardtechnologien hergestellt hat. Diese Transistoren, die zehn
Nanometer oder ein zehn Milliardstel eines Meters (Gate) bemessen,
sind sechsmal kleiner als der kleinste derzeit produzierte
Transistor. Dadurch können auf einer Chipfläche, auf der heute 100
Millionen Transistoren Platz finden, in Zukunft eine Milliarde
Transistoren untergebracht werden.  Dies führt zu einer erheblich
höheren Rechenleistung. Transistoren sind winzige Schalter, die bei
den gegenwärtigen Mikroprozessoren die integrierten Schaltkreise
bilden. Die Struktur von Double Gate Transistoren verdoppelt effektiv
den Strom, der durch einen Transistor geleitet werden kann. Das Fin
Field Effect Transistor Design (FinFET) basiert auf einer dünnen,
vertikalen "Siliziumlamelle", die den Leckstrom minimiert, solange
der Transistor im AUS-Stadium ist. Ein solches Design ermöglicht,
neue Chips mit mehr Leistung und immer kleineren Maßen herzustellen.
"Die Transistorentwicklung ist entscheidend, wenn es darum geht,
immer leistungsfähigere Produkte für unsere Kunden zu entwickeln", so
Craig Sander, Vice President Technology Development von AMD. "Die
gesamte Halbleiterindustrie arbeitet mit Hochdruck daran, den
wachsenden Herausforderungen gerecht zu werden, die bei der
Entwicklung neuer Transistoren entstehen, die kleiner und
leistungsstärker sind und zugleich nur eine geringe Abweichung von
den heutigen Standardherstellungsverfahren aufweisen dürfen. Der
FinFET Transistor beweist, dass wir weiterhin leistungsstarke
Produkte liefern können, ohne die Basistechnologie unserer Industrie
verlassen zu müssen."
Der zehn Nanometer Complementary Metal Oxide Semiconductor Fin
Field Effect Transistor (CMOS FinFET) von AMD ist das Ergebnis der
gemeinsamen Forschung von AMD und der University of California in
Berkeley mit Unterstützung der Semiconductor Research Corporation
(SRC). Die Bausteine wurden im Submicron Development Center von AMD
produziert. "Die überlegene Kontrolle des Leckstromes machen die
FinFET Transistoren zu einem attraktiven Kandidaten für zukünftige
Nano CMOS Generationen, die im kommenden Jahrzehnt in die Produktion
gehen sollen", so Dr. Tsu-Jae King, Associate Professor of Electrical
Engineering and Computer Sciences von der U.C. Berkeley. "FinFET hat
ein enormes Potenzial, die Skalierbarkeit der CMOS Technologie zu
erweitern. "AMD und die University of California werden ein Dokument
mit dem Titel "FinFET Scaling to 10 nm Gate Length" beim
International Electron Devices Meeting (IEDM) in San Francisco vom 9.
bis zum 11. Dezember 2002 vorstellen.

Kontakt:

Jan Gütter
AMD Public Relations
Zentraleuropa
Tel. +49/89/450'531'38
mailto:amd.presse@amd.com
Internet: http.//www.amd.de

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