Infineon Technologies AG

03.07.2003 – 15:06 

München (ots) -

Forscher des deutschen Halbleiterherstellers
Infineon Technologies haben einen neuen Geschwindigkeits-Weltrekord
für Siliziumchips aufgestellt. In den Münchner Forschungslabors
erreichten Elektronikbausteine in der hauseigenen
Silizium-Germanium-Bipolar-Technologie die bislang unerreichte
Betriebsfrequenz von mehr als 110 Gigahertz bei minimaler
Stromaufnahme. Zum Vergleich: Prozessoren für Personal Computer in
Silizium-CMOS-Technologie arbeiten heute in der Spitze mit weniger
als 4 Gigahertz. Bisher waren diese hohen Frequenzen lediglich für
Bauelemente aus Galliumarsenid erreichbar, aber Silizium ist deutlich
preisgünstiger und lässt sich in erprobten Prozessen verarbeiten. Die
Infineon-Forscher benutzen für die Rekord-Chips Silizium, das mit
Germanium-Atomen angereichert (dotiert) wurde.

Breite Einsatzfelder in der Datenkommunikation und im Auto

Die Hochfrequenz-Chips des deutschen Halbleiterherstellers sind -
je nach Schaltungsfunktion - um zehn bis dreissig Prozent schneller
als die Schaltkreise anderer Hersteller. Sie sind zunächst für die
Kommunikationstechnik gedacht, wo höchste Übertragungsfrequenzen die
Übermittlung von mehr Daten in kürzerer Zeit erlauben. Die
Hochfrequenzchips von Infineon könnten etwa für Sender und Empfänger
von Richtfunkstrecken oder für die Hochgeschwindigkeits-
Daten-Kommunikation zwischen elektronischen Geräten und Computern
(Wireless LAN) genutzt werden.

Einen breiten Einsatzbereich könnten die schnellen Siliziumchips
in Autos finden, etwa für Abstandswarnung und Kollisionsvermeidung
durch Radar. Diese Sicherheitsausrüstung könnte mit der neuen
Infineon-Technologie sehr viel preisgünstiger, zuverlässiger und vor
allem "intelligenter" realisiert werden. So könnte den Radarsignalen
z.B. zusätzlich eine individuelle Kennung aufgeprägt werden, um sie
unempfindlich gegen Störsignale von anderen Autos zu machen.

Die gewonnene Zuverlässigkeit liesse sich für mehr Komfort und
mehr Sicherheit nutzen, etwa für "Stop-and-Go-Automaten", die dem
Autofahrer das ständige Nachrücken im Stau erleichtern.

Infineon festigt Spitzenstellung für Hochgeschwindigkeits-
Kommunikation

"Die Resultate unterstreichen die Entschlossenheit von Infineon,
bei der technologischen Entwicklung richtungweisend zu sein",
kommentierte Dr. Werner Simbürger von der
Infineon-Forschungsabteilung für Hochfrequenz-Schaltungen. "Die
Entwicklung dieser Bauelemente für 100 Gigahertz und mehr erlaubt es
unseren Kunden, eine neue Klasse von Produkten für
Höchstfrequenz-Anwendungen zu entwickeln und kostengünstig
herzustellen." Aus Sicht des Unternehmens wird damit die Position von
Infineon als führendem Anbieter von Lösungen für die
Hochgeschwindigkeits-Kommunikation gestärkt.

Die Infineon-eigene Silizium-Germanium-Bipolar-Technologie, mit
der die neuen Rekord-Chips realisiert wurden, hat bereits
Schaltzeiten von 3,7 Picosekunden (billionstel Sekunden, 10-12)
erreicht, eine unvorstellbar kurze Zeit, in der sich Licht nur einen
Millimeter weit bewegt. (Zum Vergleich: In einer Sekunde schafft
Licht die Entfernung Erde-Mond.) Angesichts der preisgünstigen
Silizium-Technologie sehen die Forscher durchaus noch weitere
Perspektiven für elektronische Höchstleistungs-Anwendungen auf einem
Chip, zu Preisen von wenigen Cent.

Über Infineon

Infineon Technologies AG, München, bietet Halbleiter- und
Systemlösungen für die Automobil- und Industrieelektronik, für
Anwendungen in der drahtgebundenen Kommunikation, sichere
Mobilfunk-Lösungen sowie Speicherbauelemente. Infineon ist weltweit
tätig und steuert seine Aktivitäten in den USA aus San Jose,
Kalifornien, im asiatisch-pazifischen Raum aus Singapur und in Japan
aus Tokio. Mit weltweit rund 30.400 Mitarbeitern erzielte Infineon im
Geschäftsjahr 2002 (Ende September) einen Umsatz von 5,21 Milliarden
Euro. Das DAX-Unternehmen ist in Frankfurt und New York (NYSE) unter
dem Symbol "IFX" gelistet. Weitere Informationen unter
www.infineon.com.

Diese Pressemitteilung und ein Pressebild stehen auch unter   
www.infineon.com/news zur Verfügung.

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