München (ots)

Forscher der Infineon Technologies AG haben jetzt
die derzeit kleinste nichtflüchtige Flash-Speicherzelle als
Labormuster vorgestellt. Mit nur 20 nm (Nanometern) ist sie rund
5.000-mal dünner als ein Haar. Bislang galt die Herstellung von
derart kleinen funktionsfähigen Speicherzellen als sehr fraglich. Das
Besondere an dem neuartigen Bauelement ist seine dreidimensionale
Struktur mit einer Finne. Sollten alle fertigungstechnischen
Herausforderungen - wie etwa die der Lithographie - für die
Massenproduktion gemeistert werden können, wären hiermit in wenigen
Jahren nichtflüchtige Speicherchips mit einer Kapazität von 32 Gbit
denkbar. Das ist das Achtfache von dem, was heute auf gleicher Fläche
hergestellt und verkauft wird.

Nichtflüchtige Speicher werden für die immer beliebteren
Anwendungen wie Digitalkameras, Camcorder oder USB-Sticks als
flexible und robuste Massenspeicher benötigt. Heutige nichtflüchtige
Speichertechnologien basieren auf Silizium und können ein oder zwei
Bit (Informationseinheit) pro Speicherzelle ohne Versorgungsspannung
dauerhaft speichern. Die Strukturbreite aktueller Vertreter dieser
Art liegt bei 90 nm und die weitere Verkleinerung der heute üblichen
Speicherverfahren insbesondere unter 50 nm ist mit erheblichen
Schwierigkeiten verbunden. Die modernsten Speicher, die derzeit
erhältlich sind, brauchen rund 1.000 Elektronen, um sich ein Bit
sicher für mehrere Jahre merken zu können. Der jetzt von Infineon
vorgestellte Speicher begnügt sich mit 100 Elektronen, ein zweites
Bit legt er mit weiteren 100 Elektronen im gleichen Transistor ab.
100 Elektronen entsprechen etwa der Zahl von Elektronen in einem
einzigen Goldatom. Trotz dieser kleinsten Ladungsmengen wies das
Muster in den Münchner Infineon-Labors sehr gute elektrische
Eigenschaften auf.

Infineon hat für die kleinste Speicherzelle auf das FinFET-Konzept
zurückgegriffen, bei dem der FET (Feldeffekt)-Transistor die
dreidimensionale Form einer Finne hat. Diese Form verbessert die
elektrostatische Kontrolle wesentlich gegenüber den heute üblichen
flachen Transistoren. Die Elektronen werden in einem Nitrid
gespeichert, das elektrisch isoliert zwischen der Finne und der
Gate-Elektrode liegt. Die nur 8 nm dünne Silizium-Finne wird von der
20 nm langen Gate Elektrode gesteuert.

Infineon Technologies präsentierte diesen technologischen
Durchbruch auf der unter Fachleuten hoch angesehenen Tagung IEDM in
San Fransisco.

Über Infineon

Infineon Technologies AG, München, bietet Halbleiter- und
Systemlösungen für die Automobil- und Industrieelektronik, für
Anwendungen in der drahtgebundenen Kommunikation, sichere mobile
Lösungen sowie Speicherbauelemente. Infineon ist weltweit tätig und
steuert seine Aktivitäten in den USA aus San Jose, Kalifornien, im
asiatisch-pazifischen Raum aus Singapur und in Japan aus Tokio. Mit
weltweit rund 35.600 Mitarbeitern erzielte Infineon im Geschäftsjahr
2004 (Ende September) einen Umsatz von 7,19 Milliarden Euro. Das
DAX-Unternehmen ist in Frankfurt und New York (NYSE) unter dem Symbol
"IFX" notiert. Weitere Informationen unter www.infineon.com.

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