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Samsung Electronics stellt hochleistungsfähigen 3bit NAND Flash Memory Speicher mit 128Gigabyte für den Mobilgerät-Massenmarkt vor

19.03.2015 – 16:38  Samsung Semiconductor Europe GmbH    [newsroom]

Korea (ots) -

- Querverweis: Bildmaterial ist abrufbar unter
  http://www.presseportal.de/meldung/2976724 -

Samsung Electronics Co. Ltd., Marktführer im Bereich innovative Speichertechnologie, stellt einen hochleistungsfähigen Mobile-Memory-Speicher in Embedded-MultimediaCard-5.0-Technologie (eMMC) vor. Das neue 3bit eMMC NAND Flash Memory verfügt über eine Speicherkapazität von 128Gigabyte (GB) und wurde speziell für die Smartphone- und Tablet-Massenmärkte entwickelt.

"Durch die Markteinführung unseres auf hohen Nutzen fokusierten 3bit NAND-basierten eMMC 5.0-Produktangebots möchten wir die Führungsposition im Bereich Mobile Memory mit hoher Speicherkapazität einnehmen", sagt Dr. Jung-Bae Lee, Senior Vice President of Memory Product Planning und Application Engineering Team, Samsung Electronics. "Wir arbeiten kontinuierlich am weiteren Ausbau unseres Angebots an Embedded Mobile Memory der nächsten Generation. Mit noch leistungsfähigeren Produkten, die eine noch höhere Speicherdichte aufweisen, möchten wir die Nachfrage der Kunden in der gesamten Mobilgerätebranche erfüllen."

Während sich bei Smartphone-Spitzenmodellen eine Entwicklung hin zu Geräten mit Speicherkapazitäten von 128GB und auf der Basis von Universal Flash Storage 2.0 (UFS) oder eMMC 5.1 Standards abzeichnet, wird man künftig auch bei Mittelklasse-Smartphones die Speicherkapazität auf 128GB anheben können. Samsungs neues 3bit 128GB eMMC 5.0 Memory beschleunigt diesen Übergang als eMMC-5.0-Lösung mit der branchenweit höchsten Speicherdichte.

Das neue 128GB Memory mit eMMC 5.0 erreicht 260Megabyte/Sekunde (MB/s) beim sequenziellen Lesen von Daten. Dies ist die gleiche Leistungsfähigkeit wie sie auch das MLC NAND-basierte eMMC 5.1 Memory erreicht. Für wahlfreie Lese- und Schreib-Operationen sind bis zu 6.000 IOPS (Input/Output Operations per Second) bzw. 5.000 IOPS spezifiziert. Diese IOPS-Geschwindigkeiten sind ausreichend für die Verarbeitung von High-Definition-Video und für innovative Multitasking-Funktionen. Gegenüber einer typischen externen Speicherkarte sind diese IOPS-Geschwindigkeiten vier bzw. zehn Mal höher.

Mit seinem neuen 3bit-eMMC-5.0-Angebot hat Samsung sein 3-bit NAND Business von SSDs für Rechenzentren, Server und PCs auf den gesamten Memory-Markt ausgedehnt. Samsung wird auch weiterhin den Einsatz von 3bit NAND Flash Memory vorantreiben und zu diesem Zweck noch leistungsstärkere Lösungen mit noch größerem Speichervolumen entwickeln sowie die Wettbewerbsfähigkeit seines Memory Business stärken.

Über Samsung Electronics

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Über Samsung Semiconductor Europe

Samsung Semiconductor Europe, eine Tochtergesellschaft von Samsung Electronics Co. Ltd. Seoul, Korea, mit Sitz in Eschborn bei Frankfurt/Main unterhält Büros in ganz Europa und in der Region EMEA (Middle East & Africa). Der europäische Hauptsitz ist für die Marketing- und Verkaufsaktivitäten der Component Business Units von Samsung Electronics zuständig. Dazu gehören die Bereiche Memory, System LSI, LED und Display Business in EMEA. Für mehr Informationen besuchen Sie bitte www.samsung.com/semiconductor.

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Kontakt:


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Samsung Semiconductor Europe GmbH
Tel. +49(0)6196-66-3300, Fax +49(0)6196-66-23525
Email: ujeong.j@samsung.com