Samsung Semiconductor Europe GmbH

Samsung startet Massenproduktion des industrieweit fortschrittlichsten 4Gb DDR3 in 20 Nanometer Prozesstechnologie

Seoul, Korea (ots) -

- Querverweis: Bildmaterial ist abrufbar unter
  http://www.presseportal.de/galerie.htx?type=obs - 

Samsung Electronics Co. Ltd., Marktführer im Bereich Memory-Technologie, hat mit der Massenproduktion des fortschrittlichsten DDR3 Memory in einer neuen 20 Nanometer (nm) Prozesstechnologie begonnen. Das neue Memory wurde für den Einsatz in zahlreichen Computing-Anwendungen entwickelt.

Samsung hat die Skalierung bei DRAMs extrem ausgereizt und zugleich aktuell verfügbare Immersion ArF Lithografie genutzt, um sein industrieweit am weitesten entwickeltes 20 Nanometer DDR3 DRAM mit 4 Gigabit (Gb) zu realisieren.

Bei DRAM Memory, bei dem jede Zelle aus einem Kondensator und einem mit diesem verbundenen Transistor besteht, ist die Skalierung schwieriger als bei NAND Flash Memory, bei dem eine Zelle nur einen Transistor benötigt. Um die Skalierung bei fortschrittlicheren DRAMs weiter zu führen, hat Samsung seine Design- und Fertigungstechnologien überarbeitet und ein modifiziertes Verfahren hervorgebracht, welches aus Doppelstrukturierung (Double Patterning) und Atomlagenabscheidung (Atomic Layer Deposition oder ALD) besteht.

Samsungs modifizierte Technologie der Doppelstrukturierung setzt einen neuen Meilenstein, indem sie der 20nm DDR3 Produktion mit herkömmlichen Fotolitografiegeräten ermöglicht, die Core-Technologie für die nächste Generation der 10nm-Class DRAM Produktion zu realisieren. Samsung hat außerdem ultradünne dielektrische Schichten (Layer) mit Zellenkondensatoren und einzigartiger Regelmäßigkeit realisiert und so eine höhere Leistungsfähigkeit der Zellen erzielt.

Bei dem neuen, diese Technologien nutzenden 20nm DDR3 DRAM hat Samsung auch die Produktivität in der Fertigung gesteigert. Diese ist über 30 Prozent höher als die beim bisherigen 25 Nanometer DDR3 und über doppelt so hoch wie bei 30nm-Class* DDR3.

Darüber hinaus lassen sich mit den neuen 20nm 4Gb DDR3 Modulen bis zu 25 Prozent Energie gegenüber der 25nm-Technologie einsparen. Diese Verbesserung bildet die Grundlage, um globale Unternehmen mit den industrieweit fortschrittlichsten 'Green IT'-Lösungen zu beliefern.

"Unser neues energieeffizientes 20 Nanometer DDR3 DRAM wird seinen Marktanteil in der gesamten IT-Branche, inklusive PC- und Mobilgeräte-Märkte, sehr rasch ausdehnen und schnell den Mainstream-Status erlangen", sagt Young-Hyun Jun, Executive Vice President, Memory Sales and Marketing, Samsung Electronics. "Wir werden auch künftig DRAM- und 'Green' Memory-Lösungen der nächsten Generation vor dem Wettbewerb liefern. Gleichzeitig werden wir in enger Zusammenarbeit mit unseren Hauptkunden zum Wachstum des globalen IT-Marktes beitragen."

Das Marktforschungsunternehmen Gartner geht davon aus, dass der weltweite DRAM-Markt von $35,6 Mrd. im Jahr 2013 bis 2014 auf $37,9 Mrd. wächst.

Über Samsung Electronics Co., Ltd.

Samsung Electronics Co. Ltd. ist ein weltweit führender Anbieter von Technologie, die Menschen überall neue Möglichkeiten eröffnet. Durch kontinuierliche Innovation und Marktbeobachtung transformiert das Unternehmen die Welten der Fernsehgeräte, Smartphones, Tablets, PCs, Kameras, Haushaltsgeräte, Drucker, LTE-Systeme, Medizingeräte, Halbleiter und LED-Lösungen. Bei Samsung Electronics Co. Ltd. sind 286000 Menschen in 80 Ländern beschäftigt. Der jährliche Umsatz des Unternehmens beträgt über US$216,7 Mrd. Für mehr Informationen besuchen Sie bitte www.samsung.com.

Über Samsung Semiconductor Europe

Samsung Semiconductor Europe, eine Tochtergesellschaft von Samsung Electronics Co. Ltd. Seoul, Korea, mit Sitz in Eschborn bei Frankfurt/Main unterhält Büros in ganz Europa und in der Region EMEA (Middle East & Africa). Der europäische Hauptsitz ist für die Marketing- und Verkaufsaktivitäten der Component Business Units von Samsung Electronics zuständig. Dazu gehören die Bereiche Memory, System LSI, LED und Display Business in EMEA. Für mehr Informationen besuchen Sie bitte www.samsung.com/semiconductor.

* Hinweis für Redakteure: 10nm-Class bedeutet eine Prozesstechnologie mit Halbleiterstrukturen zwischen 10 und 20 Nanometer. 30nm-Class bedeutet eine Prozesstechnologie mit Halbleiterstrukturen zwischen 30 und 40 Nanometer.

Samsung und das stilisierte Samsung Design sind Warenzeichen und Servicebezeichnungen von Samsung Electronics Co. Ltd. andere Warenzeichen befinden sich im Besitz ihrer jeweiligen Eigentümer.

Kontakt:

Press Office Samsung Device Solutions
Tel: +49 89 120 21 26-83
Email: samsung@ny-co.de



Weitere Meldungen: Samsung Semiconductor Europe GmbH

Das könnte Sie auch interessieren: