Alle Storys
Folgen
Keine Story von Samsung Semiconductor Europe GmbH mehr verpassen.

Samsung Semiconductor Europe GmbH

Samsung startet Massenproduktion des fortschrittlichsten DDR4 Memory in 20 Nanometer-Class Prozesstechnologie

Korea (ots)

- Querverweis: Bildmaterial ist abrufbar unter  
  http://www.presseportal.de/galerie.htx?type=obs -

Samsung Electronics Co. Ltd., Marktführer bei modernster Speichertechnologie, hat mit der Massenproduktion des fortschrittlichsten DDR4 Memory für Enterprise Server in Rechenzentren der nächsten Generation begonnen.

Mit diesen leistungsstarken High-Density DDR4-Modulen kann das Unternehmen die Nachfrage nach innovativem DDR4 Memory für rasch wachsende, enorm große Rechenzentren und andere Enterprise-Server-Anwendungen optimal erfüllen.

Die frühzeitige Verfügbarkeit von 4-Gigabit (Gb) DDR4 Memory, das in 20 nanometer (nm)-Class* Prozesstechnologie hergestellt wird, wird die Nachfrage nach Memory-Modulen mit 16-gigabyte (GB) und 32GB steigern. Bei herkömmlichen DRAMs sind 8GB-Module in 30nm-Class* Prozesstechnologie noch immer üblich.

"Der Einsatz von extrem schnellem DDR4 Memory in Serversystemen der nächsten Generation wird noch in diesem Jahr einen Schub hin zu fortschrittlichem 'Premium Memory' im ganzen Unternehmen auslösen", sagt Young-Hyun Jun, Executive Vice President, Memory Sales & Marketing, Samsung Electronics. "Nachdem wir mit der rechtzeitigen Verfügbarkeit unseres 16GB DDR3 Memory zu einem früheren Zeitpunkt des Jahres Leistungsfähigkeit der Spitzenklasse auf den Markt gebracht haben, werden wir unser Angebot 2013 für den 'Premium' Servermarkt weiter ausbauen und uns jetzt mit 32GB DDR4 auf Memory mit noch größerer Speicherkapazität und höherer Leistungsfähigkeit konzentrieren. Damit leisten wir einen wichtigen Beitrag für weiteres Wachstum auf dem 'Green IT' Markt im kommenden Jahr."

In Enterprise Servern der nächsten Generation sorgen schnellere DRAMs für eine höhere Leistungsfähigkeit auf Systemebene und reduzieren den Energieverbrauch wesentlich. Indem sie DDR4 Memory-Technologie möglichst frühzeitig einsetzen, können OEMs die Betriebskosten minimieren und die Leistungsfähigkeit maximieren, um einen besseren "Return on Investment" zu erzielen.

Der Produktionsbeginn von Samsungs 20nm-Class 4Gb DDR4 Memory folgt der Einführung von 50nm-Class* 2Gb DDR3 Memory im Jahr 2008. Als Höhepunkt ermöglicht dies den Übergang zu DDR4 für große Rechenzentren und andere Enterprise-Anwendungen in nur fünf Jahren. Das 4Gb-basierte DDR4 Memory hat die schnellste DRAM Datenübertragungsgeschwindigkeit von 2.667 Megabit/Sekunde - eine 1,25-fache Steigerung gegenüber 20nm-Class DDR3 Memory bei gleichzeitiger Reduzierung des Energieverbrauchs um über 30 Prozent.

Basierend auf Samsungs 20nm-Class DRAM Memory, ein 4Gb DRAM-Chip mit der weltweit höchsten Leistungsfähigkeit und den kleinsten Abmessungen, hat das Unternehmen jetzt das industrieweit größte Angebot an Produkten entwickelt, die auf Anwendungen von Servern bis hin zu Mobilgeräten zugeschnitten sind. Damit erhalten Kunden weltweit das umfangreichste Angebot fortschrittlichster und leistungsstarker "Green Memory" Lösungen mit geringem Energieverbrauch.

Samsung wird auch künftig die Entwicklung von "Green Memory" Produkten und Lösungen für die IT-Märkte vorantreiben. Mit innovativen Entwicklungskonzepten, ausgerichtet auf Systeme, Lösungen und Software, wird das Unternehmen seine "Green Memory" Strategie weiterhin verstärken und den Nutzen für die Kunden maximieren. Zugleich will der Anbieter den Markt für "Green IT" Produkte weiter ausdehnen.

Für mehr Informationen über Samsung Memory besuchen Sie bitte www.samsungsemi.com oder www.samsung.com/memory.

Über Samsung Electronics Co., Ltd.

Samsung Electronics Co. Ltd. ist ein weltweit führender Anbieter von Technologie, die Menschen überall neue Möglichkeiten eröffnet. Durch kontinuierliche Innovation und Marktbeobachtung transformiert das Unternehmen die Welten der Fernsehgeräte, Smartphones, PCs, Drucker, Kameras, Haushaltsgeräte, LTE-Systeme, Medizingeräte, Halbleiter und LED-Lösungen. Bei Samsung Electronics Co. Ltd. sind 270000 Menschen in 79 Ländern beschäftigt. Der jährliche Umsatz des Unternehmens beträgt über US$187,8 Mrd. Für mehr Informationen besuchen Sie bitte www.samsung.com.

Über Samsung Semiconductor Europe

Samsung Semiconductor Europe, eine Tochtergesellschaft von Samsung Electronics Co. Ltd. Seoul, Korea, mit Sitz in Eschborn bei Frankfurt/Main unterhält Büros in ganz Europa und in der Region EMEA (Middle East & Africa). Der europäische Hauptsitz ist für die Marketing- und Verkaufsaktivitäten der Component Business Units von Samsung Electronics zuständig. Dazu gehören die Bereiche Memory, System LSI, LED und Display Business in EMEA. Für mehr Informationen besuchen Sie bitte www.samsung.com/semiconductor.

Für weitere Informationen wenden Sie sich bitte an:

   Ujeong Jahnke 
   Samsung Semiconductor Europe GmbH 
   Tel. +49(0)6196-66-3300, Fax +49(0)6196-66-23525 
   Email:  ujeong.j@samsung.com

*Hinweis für Redakteure: 20nm-Class bedeutet eine Prozesstechnologie mit Halbleiterstrukturen zwischen 20 und 30 Nanometer. 30nm-Class bedeutet eine Prozesstechnologie mit Halbleiterstrukturen zwischen 30

Kontakt:

Ujeong Jahnke
Samsung Semiconductor Europe GmbH
Tel. +49(0)6196-66-3300, Fax +49(0)6196-66-23525
Email: ujeong.j@samsung.com

Weitere Storys: Samsung Semiconductor Europe GmbH
Weitere Storys: Samsung Semiconductor Europe GmbH
  • 20.08.2013 – 16:15

    Samsung stellt weltweit erste 3D V-NAND-basiertes SSD für Enterprise-Anwendungen vor

    Santa Clara, CA (ots) - Samsung Electronics Co. Ltd., Marktführer bei innovativer Speichertechnologie, stellte heute die erste SSD (Solid State Drive) auf Basis seiner industrieweit führenden 3D V-NAND-Technologie vor. Samsung kündigte seine neue SSD, entwickelt für den Einsatz in Enterprise-Servern, in einer Keynote auf dem Flash Memory Summit 2013 an. "Durch die ...

  • 06.08.2013 – 15:54

    Samsung startet Massenproduktion des industrieweit ersten 3D Vertical NAND Flash Memories

    Seoul, Korea (ots) - Samsung Electronics Co. Ltd., Marktführer bei innovativer Speichertechnologie, hat mit der Massenproduktion des industrieweit ersten dreidimensionalen (3D) Vertical NAND (V-NAND) Flash Memory begonnen. Das neue 3D V-NAND Flash Memory durchbricht die aktuelle Skalierungsgrenze bestehender NAND-Flash-Technologie und bietet Verbesserungen ...

  • 30.07.2013 – 08:18

    Samsung startet Massenproduktion des industrieweit schnellsten Embedded Memory

    Seoul, Korea (ots) - Samsung Electronics Co. Ltd., Marktführer bei innovativer Speichertechnologie, hat mit der Massenproduktion der weltweit schnellsten Embedded Memorys, den industrieweit ersten eMMC 5.0 Speichern, mit Speicherkapazitäten von 16, 32 und 64 Gigabyte (GB) begonnen. Die neuen Speicherchips eignen sich speziell für den Einsatz in mobilen Geräten wie ...