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Samsung startet Massenproduktion von 4Gigabit LPDDR3 Mobile DRAM in 20nm-Class* Prozesstechnologie

Seoul, Korea (ots) -

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Samsung Electronics Co. Ltd., Marktführer bei modernster Speichertechnologie, hat als industrieweit erstes Unternehmen mit der Massenproduktion von sehr schnellen LPDDR3 (Low Power Double Data Rate 3) DRAMs mit 4 Gigabit (Gb) Speicherkapazität begonnen. Die mobilen DRAMs werden in 20 Nanometer (nm)-Class*Prozesstechnologie hergestellt.

Die neuen 4Gb LPDDR3 Mobile DRAMs ermöglichen ein Leistungsniveau, das vergleichbar mit den in PCs verwendeten Standard-DRAMs ist. Sie sind damit eine attraktive Lösung für die anspruchsvollen Multimedia-Funktionen in Mobilgeräten der nächsten Generation, darunter besonders leistungsstarke Smartphones und Tablets.

"Indem wir das effizienteste Mobile Memory der nächsten Generation mit sehr großem Speichervolumen anbieten, ermöglichen wir OEMs, noch innovativere Designs schnell auf den Markt zu bringen," sagt Young-Hyun Jun, Executive Vice President, Memory Sales & Marketing, Samsung Electronics. "Mit unserem 20nm-Class 4 Gigabit Mobile DRAM verdeutlichen wir an einem weiteren Beispiel unsere Fähigkeit, Kunden rechtzeitig mit optimal differenziertem, leistungsfähigem Memory mit hoher Speicherkapazität zu beliefern."

Das 4Gb LPDDR3 kann Daten mit bis zu 2.133Mbit/s pro Pin übertragen und ist damit mehr als doppelt so schnell wie derzeitige LPDDR2 DRAMs mit Datenübertragungsraten von 800Mbit/s. Dies macht es möglich, drei Full HD-Videos mit insgesamt 17 Gigabyte (GB) in nur einer Sekunde über den neuen Samsung Chip, eingebettet in ein Mobilgerät, zu übertragen.

Samsungs 20nm-Class LPDDR3 Mobile DRAM ermöglicht das unterbrechungsfreie Abspielen von Full HD-Videos auf Smartphone-Bildschirmen mit 5 Zoll oder größer. Gegenüber LPDDR3 DRAMs in 30nm-ClassProzesstechnologie erzielt das neue Bauteil eine über 30 Prozent höhere Leistungsfähigkeit bei 20 Prozent geringerem Energieverbrauch.

Während die Bauhöhen von Mobilgeräten immer weiter reduziert werden, haben sich die Abmessungen für die Batterien ständig erhöht. Mit Samsungs 4Gb LPDDR3 Mobile DRAM erhalten OEMs ein 2GB Paket, das vier von Samsungs neuen Chips in nur einem Gehäuse mit einer Bauhöhe von 0,8mm enthält.

In seiner Rolle als Wachstumsfaktor auf dem DRAM-Markt, plant Samsung, die Produktion seiner innovativen 20nm-Class Mobile DRAMs zu einem späteren Zeitpunkt des Jahres zu erhöhen. Das Unternehmen möchte damit seine Wettbewerbsfähigkeit als Marktführer im Bereich Memory festigen.

Die Marktforschungsfirma Gartner geht davon aus, dass der Markt für DRAMs jährlich um 13 Prozent wächst und 2013 ein Volumen von 29,6 Mrd. Dollar einnimmt. Das Segment mobile DRAM soll laut Gartner ein Volumen von 10 Mrd. Dollar übersteigen und damit 35 Prozent des DRAM-Marktes ausmachen.

Über Samsung Electronics Co., Ltd.

Samsung Electronics Co. Ltd. ist ein weltweit führender Anbieter von Technologie, die Menschen überall neue Möglichkeiten eröffnet. Durch kontinuierliche Innovation und Marktbeobachtung transformiert das Unternehmen die Welten der Fernsehgeräte, Smartphones, PCs, Drucker, Kameras, Haushaltsgeräte, LTE-Systeme, Medizingeräte, Halbleiter und LED-Lösungen. Bei Samsung Electronics Co. Ltd. sind 236.000 Menschen in 79 Ländern beschäftigt. Der jährliche Umsatz des Unternehmens beträgt über US$187,8 Mrd. Für mehr Informationen besuchen Sie bitte www.samsung.com.

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Samsung Semiconductor Europe, eine Tochtergesellschaft von Samsung Electronics Co. Ltd. Seoul, Korea, mit Sitz in Eschborn bei Frankfurt/Main unterhält Büros in ganz Europa und in der Region EMEA (Middle East & Africa). Der europäische Hauptsitz ist für die Marketing- und Verkaufsaktivitäten der Component Business Units von Samsung Electronics zuständig. Dazu gehören die Bereiche Memory, System LSI, LED und Display Business in EMEA. Für mehr Informationen besuchen Sie bitte www.samsung.com/semiconductor.

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*Anmerkung der Redaktion: 20nm-Class bedeutet eine Prozesstechnologie mit Halbleiterstrukturen zwischen 20 und 30 Nanometer. 30nm-Class bedeutet eine Prozesstechnologie mit Halbleiterstrukturen zwischen 30 und 40 Nanometer.

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